东思新闻网

您当前的位置 : 东思新闻网>科技>工信部:推动我国芯片制造领域良率、产量的提升
工信部:推动我国芯片制造领域良率、产量的提升
2019-10-23 09:37:27   阅读量:4308    作者:匿名
摘要:新京报讯 2019年10月8日,工信部在其官网上公开了《关于政协十三届全国委员会第二次会议第2282号提案答复的函》,其中指出,下一步,工信部将继续支持我国工业半导体领域成熟技术发展,推动我国芯片制造

     

    新京报(记者向陈伟成承诺)2019年10月8日,工业和信息化部(MIIT)在其官方网站上发布了《关于回复中国人民政治协商会议第十三届全国委员会第二次会议议案2282(公交邮电256)的函》。指出下一步,MIIT将继续支持中国工业半导体领域成熟的技术发展,推动中国芯片制造领域产量和产量的提高。积极部署新材料和新一代产品技术的研发,推动中国工业半导体材料、芯片、器件和绝缘栅双极晶体管(igbt)模块产业的发展。

    工业和信息化部在信中指出,为了解决工业半导体材料、芯片、器件、igbt模块等核心部件的关键技术问题,工业和信息化部等相关部门积极支持工业半导体材料、芯片、器件和igbt模块领域的关键技术研究。2017年,工业和信息化部推出“工业强基igbt器件一站式应用计划”,重点支持新能源汽车、智能电网和轨道交通三大领域的igbt设计、芯片制造、模块生产和idm、上游材料、生产设备制造等环节,推动igbt及相关产业的发展。

    工业和信息化部还指示湖南省建立电力半导体制造创新中心,整合产业链上下游资源,合作解决工业半导体材料、芯片、器件和igbt模块领域的关键共性技术。工业和信息化部已指示中国宽带隙半导体及应用产业联盟发布《中国igbt技术及产业发展路线图》(2018-2030),指导中国igbt产业技术升级,促进相关产业发展。

    工业和信息化部表示,近年来,中国集成电路产业取得了长足的进步,但核心技术被他人控制的局面并没有根本改变。迫切需要加强关键技术研究,确保供应链安全和产业安全。在当前复杂的国际形势下,工业半导体材料、芯片、器件和igbt模块的滞后发展将制约中国新老动能的转化和工业转型,进而影响国家的经济发展。

    新京报记者向陈伟成编辑陈莉承诺

      © Copyright 2018-2019 happy24hours.com 东思新闻网 Inc. All Rights Reserved.